Northeastern University onthult doorbraken in siliciumcarbide: het materiaal dat de technologie van morgen vormgeeft

‌—Exclusief interview met professor Ru over wereldwijde toepassingen en innovaties‌

De School of Materials Science van Northeastern University heeft vandaag, in samenwerking met het National Advanced Materials Laboratory, het Global Silicon Carbide Technology Report 2024 uitgebracht. Professor Ru, de hoofdwetenschapper van het project, verklaarde: ‌“Siliciumcarbide (SiC) is niet langer een nichemateriaal: het herdefinieert industrieën van quantum computing tot deep-space exploratie. Met de innovaties van China dichten we de kloof in deze grens van $ 100 miljard.”‌ Dit rapport beschrijft de unieke eigenschappen van SiC, de strategische doorbraken van China en de transformerende rol ervan in wereldwijde duurzaamheid.

Het leven eindigt nooit en wetenschappelijk onderzoek stopt nooit. Onze reeks trainingscursussen is begonnen met de tweede uitwisseling en leergang. Deze keer hebben we professor Ru, een expert in materiaalkunde van Northeastern University, uitgenodigd om ons zijn ervaring in materiaalverhouding te leren.

De SiC-revolutie van China: drie pijlers van innovatie

‌1. Kristalgroei: van laboratoria tot wereldwijd leiderschap‌

‌PVT-3D-technologie‌: behaalde een opbrengst van 82% voor 8-inch SiC-wafers (tegenover 35% in 2022).

‌Shenyang Industrial Cluster‌: produceert nu 300.000 wafers per jaar en voedt Tesla en Huawei.

‌2. Techniek op kwantumniveau‌

‌Atomaire laagepitaxie (ALE): Verminderde SiC/SiO₂-interfacedefecten tot <1×10¹⁰ cm⁻²·eV⁻¹, waardoor 120 GHz 6G-chips mogelijk zijn.

‌3. Validatie van extreme omgevingen‌

‌Ruimtetest‌: SiC-vermogensmodules op het ruimtestation Tiangong-7 werkten 1.465 dagen lang feilloos.

‌Nucleaire mijlpaal‌: Weerstond 4.500°C plasma in de fusiereactor van State Power.

Professor Ru is al tientallen jaren nauw betrokken bij de materiaalkunde van siliciumcarbide en heeft unieke inzichten in de kenmerken en formuleverhoudingen van elk materiaal, evenals de problemen die zich kunnen voordoen in het productieproces. Onder zijn leiding hebben we enkele tekortkomingen in het bestaande siliciumcarbideproductieproces verbeterd en geprobeerd nieuwe formules te gebruiken in het warmdrukvormen.

Wij hopen dat we voortdurend kunnen communiceren en leren van experts om onze siliciumcarbideproductieprocessen en -verhoudingen voortdurend te kunnen verbeteren. Zo kunnen we betere siliciumcarbideproducten produceren en onze klanten betere diensten aanbieden.

Als u goede suggesties of adviezen heeft, neem dan gerust contact met ons op. Samen kunnen we leren en verbeteren. We hopen samen met u aan een betere toekomst te werken.