Op 13 januari kondigde Wolfspeed aan een belangrijke mijlpaal in de industrie te hebben bereikt door met succes 300 mm (12 inch) siliciumcarbide-wafers van éénkristal te produceren. Dankzij de grootste en meest fundamentele portfolio aan intellectueel eigendom op het gebied van siliciumcarbide (met meer dan 2300 verleende en aangevraagde patenten wereldwijd) loopt Wolfspeed voorop in de ontwikkeling van siliciumcarbide-technologie naar 300 mm, waarmee de weg wordt vrijgemaakt voor grootschalige commercialisering in de toekomst.

Deze technologische vooruitgang betekent een belangrijke stap voorwaarts voor de volgende generatie computerplatformen, meeslepende AR/VR-systemen en geavanceerde energiezuinige apparaten. Door siliciumcarbide te schalen naar 300 mm ontsluit Wolfspeed nieuwe prestatiegrenzen en schaalbaarheid in de productie voor 's werelds meest veeleisende halfgeleidertoepassingen.

Elif Balkas, Chief Technology Officer van Wolfspeed, verklaarde: "Het produceren van 300 mm siliciumcarbide-wafers van éénkristal is een belangrijke technologische prestatie en het resultaat van jarenlange gerichte innovatie op het gebied van kristalgroei, ingot- en waferverwerking. Deze prestatie stelt Wolfspeed in staat om de meest baanbrekende technologieën in de industrie te ondersteunen, met name belangrijke onderdelen van het AI-ecosysteem, meeslepende AR/VR-systemen en andere geavanceerde toepassingen voor energiezuinige apparaten."

Het Wolfspeed 300mm-platform zal de grootschalige productie van siliciumcarbide voor vermogenselektronica combineren met geavanceerde mogelijkheden voor zeer zuivere, halfgeleidende substraten die worden gebruikt in optische en RF-systemen. Deze integratie zal nieuwe wafer-integratie ondersteunen op het gebied van optiek, fotonica, thermische processen en vermogensbeheer.

Naarmate AI-workloads de stroomcapaciteit van datacenters tot het uiterste drijven, zal de vraag naar een hogere vermogensdichtheid, betere thermische prestaties en een hogere energie-efficiëntie blijven toenemen. De 300 mm siliciumcarbide-technologie van Wolfspeed maakt wafer-integratie mogelijk van hoogspanningsvoedingssystemen, geavanceerde thermische oplossingen en actieve interconnecties, waardoor de systeemprestaties verder reiken dan traditionele transistorschaling.

De volgende generatie AR/VR-systemen vereist compacte, lichtgewicht configuraties die displays met hoge helderheid, een breed gezichtsveld en efficiënt thermisch beheer integreren. De unieke materiaaleigenschappen van siliciumcarbide, zoals mechanische sterkte, thermische geleidbaarheid en controle over de optische brekingsindex, maken het een ideale keuze voor multifunctionele optische architecturen.

Naast AI-infrastructuur en AR/VR is de overstap van siliciumcarbide naar het 300 mm-platform een ​​belangrijke stap in de opschaling van de productie van geavanceerde vermogenscomponenten. Grotere waferdiameters verbeteren de mogelijkheid om op een kosteneffectieve manier te voldoen aan de groeiende vraag naar toepassingen zoals hoogspanningsnetten en industriële systemen van de volgende generatie.

Poshun Chiu, hoofdanalist van samengestelde halfgeleiders bij Yole Group, verklaarde: "De doorbraak van 300 mm is niet alleen een technische mijlpaal; het opent ook nieuwe mogelijkheden voor siliciumcarbide als strategisch materiaal. Het geeft aan dat siliciumcarbide op weg is naar het volgende niveau van productierijpheid dat nodig is voor elektrificatie, digitalisering en het AI-tijdperk in het komende decennium. Dit biedt de markt een betrouwbaar stappenplan voor hogere opbrengsten, betere economische efficiëntie en leveringszekerheid op lange termijn."