Op 31 december 2024 heeft Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., een dochteronderneming van China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., volgens de China Electronic Materials Industry Association onlangs met succes een 12-inch (300 mm) hoogzuiver semi-isolerend siliciumcarbide monokristallijn substraat ontwikkeld en tegelijkertijd met succes een 12-inch N-type siliciumcarbide monokristallijn substraat ontwikkeld.

Wat betreft capaciteitsopbouw, heeft het Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II-project in oktober 2024 de voltooiingsacceptatie doorstaan, waarmee de officiële start van de productie van het project werd gemarkeerd. De voltooiing van het Phase II-project zal naar verwachting Shuoke Crystal 200.000 6-8-inch siliciumcarbidesubstraten per jaar opleveren, waaronder 200.000 N-type siliciumcarbide monokristalsubstraten per jaar en 25.000 substraten met een hoge zuiverheidsgraad per jaar.

Wat betreft de 8-inch vooruitgang ontwikkelde Shuoke Crystal in augustus 2021 8-inch siliciumcarbidekristallen en in januari 2022 bereikte Shuoke Crystal kleinschalige productie van 8-inch N-type siliciumcarbidepolijstwafers. De toename van de wafergrootte betekent dat er meer chips op elke wafer kunnen worden geproduceerd, waardoor de productie-efficiëntie wordt verbeterd. Het verlaagt niet alleen de productiekosten van een enkele chip, maar optimaliseert ook de totale productiekosten. Daarom zijn grote wafers economisch efficiënter en brengen ze grotere concurrentievoordelen voor fabrikanten.

Momenteel zijn grote wafers een gemeenschappelijk doel geworden dat door grote fabrikanten wordt nagestreefd. Naast Shuoke Crystal heeft Tianyue Advanced op 13 november 2024 een 12-inch N-type siliciumcarbide substraatproduct uitgebracht, waarmee wordt aangegeven dat de siliciumcarbide-industrie officieel het tijdperk van ultra-grote siliciumcarbide substraten is binnengegaan. Hoewel het veld van siliciumcarbide substraten momenteel transformeert van 6 inch naar 8 inch, is de toekomstige evolutie naar 12 inch zeer zichtbaar.